팁/노하우

18 1usmus가 직접 쓴 라이젠 램오버 강좌 (29일 업데이트)

드로이얀7
40 16898

2019.03.28 19:02

*** 29일 업데이트: 자잘한 오류를 수정하고, 이해를 돕기 위한 설명을 좀 보강하고, 필요한 부분은 중복이 나오더라도 보기 쉽게 수정해봤습니다. ** 

 

 

프리모캐시를 만족스럽게 쓰고 있어서, 용도상으로는 8GB로 충분할 때 이미 32GB를 쓰기 시작했고, 이번에 라이젠 사면서도 16GBx2로 샀는데, 라이젠에 32GB 메모리 오버가 이렇게 힘든 건 줄은 미처 몰랐습니다. (진즉 알고는 있었지만 막연히 '어렵다'고 들어서 아는 것과 실제 경험해 보는 것은 다릅니다.) 

 

중간에 빡쳐서 CL 20, RCD 24, RFC 990, FAW 54 (CL, RCD는 보드 오토, RFC랑 FAW는 보드 입력 가능 최대값, 나머진 기억 안 남)까지 풀어도 안정화가 잘 안 되었는데, 구글링하다가 https://www.techpowerup.com/reviews/AMD/Ryzen_Memory_Tweaking_Overclocking_Guide/ 이 가이드를 알고난 후에 3333MHz CL16 안정화에 성공했습니다.

 

1usmus에 대해서는 보통 TestMem5 컨픽이나, 라이젠용 DRAM 계산기를 통해 알게 되었을 겁니다.(전 아이비E 4820K를 쭉 써오고 있던 관계로, DRAM 계산기는 지금 소개하려는 강좌 보고 알게 되었습니다.) 

 
 


  

정확한 램 모듈 이름은 F4-3200C14D-32GVK입니다. https://www.reddit.com/r/Amd/comments/62vp2g/clearing_up_any_samsung_bdie_confusion_eg_on/ 에서 확인하고 구매했습니다.

 

HCI Memtest 1000%, Prime95 FMA3 256K 설정 9시간 정도*, LinX - AMD Editon 최대(29기가 정도)로 9시간 정도*,** 통과 

(* 잘 때 돌려놓고 일어나서 에러 안 났는지만 확인한 거라 정확히 몇 시간인지는 모릅니다.)

(** 이건 CPU 오버 전에 돌린 거라 아직 CPU오버까지 안정화는 아닙니다만, 일단 디비전2 이틀 정도 한 바로는 DX11에서는 절대 안 튕겼습니다.)

Prime95 FMA3 256K 설정은 http://www.coolenjoy.net/bbs/overclock/654043?sfl=wr_subject&stx=prime95&sop=and 이 글대로 한 겁니다.

 

 

읽어보시면 알겠지만, 100% 그대로 따라하려면 할 것도 많고 테스트에 엄청 오래 걸리는 (그래서 그만큼 타이밍을 최대한 조인 상태로 최종 안정화를 해서 성능 극대화를 노리는) 가이드입니다. 다만, 할 거 많다고 쫄 필요가 없는 게, 100% 그대로 다 할 필요까지는 없습니다. 대충 핵심만 따라하고 자잘하게 시간 많이 걸리는 부분은 넘겨도 됩니다. 특히 좋은 보드는 자잘한 설정들은 보드 오토가 이미 최적값인 것들이 많은 것 같더군요. 각 부분마다 제가 어떻게 했는지도 적어놨으니 참고해서 진행하시면 효율적으로 할 수 있을 겁니다. 일단 초반부의 procODT (저항)와 SOC (전압) 튜닝만 해도 맨땅에 헤딩식으로 헤매는 것보다는 훨씬 나은 결과를 기대할 수 있다고 봅니다. 

 

 

1usmus가 서문에서 밝힌 주장에 따르면, 본 가이드 수준의 오버는 기본값 2133MHz 대비 최대 50%의 게임 성능 향상을 얻을 수 있으며, XMP 메모리 기본값과 비교해도 최대 14% 수준의 향상을 볼 수 있습니다.(CPU는 구체적으론 안 밝히고, CPU 병목 방지를 위해 4.2GHz로 오버했다고만 함. 다만 CPU 나온 결과 스샷은 모두 2700X니깐 여기 결과도 2700X일 듯) 

 

 

듀얼랭크 3200MHz 결과 

 


 

 

싱글랭크 3466MHz 결과 

 


 

 

특히 여기 달아놓은 설명에서는, tWTRS 같은 걸 간과하지 말라고 합니다. 다만 과도한 타이밍 조이기는 성능에 도움이 안 될 뿐더러 프리징의 원인이 될 수 있으니 조심하라고 하네요.

 


용어 설명(개념 잡기) - 일부는 DDR4 공통(인텔에도 해당)이지만, 일부는 라이젠에만 해당되는 개념입니다.

  • SOC voltage - system on a chip voltage; responsible for the voltage related to the memory controller.
     Limit: up to 1.2 V.
    • 단일 칩 체제 전압 - 멤컨(메모리 컨트롤러) 전압에 영향을 줌, 한계: 1.2V
  • DRAM boot voltage - voltage at which memory training takes place at system start-up.
     Limit: up to 1.45–1.50 V.
    • DRAM 부트 전압 - 부팅 과정에서 메모리 정상인지 확인할 때 쓰는 전압, 한계: 1.45~1.50V
  • VDDP voltage - voltage for the transistor that sets memory contents.
     Limit: up to 1.1 V.
    • VDDP 전압 - 메모리 내용을 세팅하는 트랜지스터에 걸리는 전압, 한계: 1.1V
  • CLDO VDDP voltage - voltage for the DDR4 PHY on the SoC. The DDR4 PHY or physical-layer interface converts  information from the memory controllers to a format the DDR4 memory modules can understand.
     Somewhat counterintuitively, lowering VDDP can often be more beneficial for stability than raising CLDO_VDDP. Advanced overclockers should also  know that altering CLDO VDDP can move or resolve memory holes. Small  changes to VDDP can have a big effect, and VDDP cannot not be set to a  value greater than VDIMM - 0.1 V (not to exceed 1.05 V). A cold reboot  is required if you alter this voltage.
     Limit: up to 1.0 V.
    • CLDO VDDP 전압 - DDR4 PHY = 물리 레이어 인터페이스에 걸리는 전압, 멤컨이 준 정보를 실제 DDR4 모듈에 맞게 변환하는 녀석. *** 이 전압 오버 특성에 대한 설명은 저렇게 말로 짧게 설명하는 것보다, http://www.hwbattle.com/bbs/board.php?bo_table=cpumbram&wr_id=120244 이 글이 훨씬 나으니 이걸 보기 바랍니다. ***
      VDIMM - 0.1V나 1.05V를 넘으면 안 된다고 함. 한계: 1.0V
  • VPP (VPPM) voltage - voltage that determines how reliably a DRAM row gets accessed.
     Limit: up to 2.7 V.
    •  VPP (VPPM) 전압 - DRAM에 열(row) 단위로 접근할 떄 관련된 전압, 한계: 2.7V
  • Vref voltage - memory reference voltage; "Configures" both the CPU and the memory module with the voltage level that separates what is to be considered a "0" or a "1"; i.e., voltages found on the memory bus below MEMVREF are to be considered a "0," and voltages above this level are to be considered a "1." By default, this voltage level is half of VDDIO (a.k.a. 0.500x). Some motherboards allow the user to change this ratio, usually through two options: (1) "DRAM Ctrl Ref Voltage" (for the control lines from the memory bus; JEDEC's  official name for this voltage is VREFCA), and (2) "DRAM Ctrl Data Ref  Voltage" (for the data lines from the memory bus; JEDEC's official name  is "VREFDQ"). These options are configured as a multiplier.
    • Vref 전압 - 메모리 레퍼런스 전압. 디지털 신호에서 0과 1을 구별하는 기준(아주 단순하게 설명하자면, 일례로 1V, ref 0.5V인 회로에서 전압을 가지고 값을 읽어야 할 때 0.4V가 들어보면 0으로 읽고, 0.6V가 들어오면 1로 읽는 식임) 기본값은 VDDIO의 0.5배이고, 일부 보드는 DRAM Ctrl Ref와 DRAM Ctrl Data Ref로 나눠서 조절할 수 있게 함.(JEDEC 표준 용어는 각각 VREFCA와 VREFDQ)
  • VTT  DDR voltage - voltage used to control the impedance of the bus in order  to achieve the high speed and maintain signal integrity. This is done by  resistor parallel termination.
    • VTT DDR 전압 - 메모리 버스의 임피던스 관련 전압
  • PLL (1P8) voltage - This option can be used to stabilize the CPU at high BCLKs.
     Limit: up to 1.9 V.
    • PLL - BLCK 오버 시 CPU 안정화에 씀, 한계: 1.9V
  • CAD_BUS - Command & Address bus; for  those who are able to train the memory at high speeds (>=3466MHz),  but are unable to stabilize it due to signaling issues. I suggest you  try decreasing "Command & Address" related drive currents  (increasing the resistance).
     Limit: None.
    • CAD_BUS - 명령 및 주소 버스. 3466MHz 이상 오버는 할 줄 아는데 안정화를 못하는 사람에게 관련 저항을 높일 것을 권장함, 한계: 없음
  • CAD_BUS timings - transceiver delay. Values set a bit mask.
     Limit: None.
    • CAD_BUS 타이밍 - 송수신 딜레이, 비트 마스크 방식으로 설정함, 한계: 없음
  • procODT - resistance value, in ohms, that  determines how a completed memory signal is terminated. Higher values  can help stabilize higher data rates.
     Limit: None.
    • procODT - 저항값(옴), 완료된 메모리 신호를 끝내는 역할. 높이면 고클럭 안정화에 도움을 줄 수 있음. 한계: 없음
  • RTT (Signal Integrity Optimizations) - the use of  multiple ranks of DRAM on the DDR4 interface requires additional options  for selecting the on-die terminating resistance for individual ranks.
     DDR4 DRAM offers a range of terminating resistance values. The specific  DQ pin receiver resistance presented to the interface is selected by a  combination of the initial chip configuration and the DRAM operating  command if dynamic on-die termination is enabled.
     Limit: None.
    • RTT (신호 내구성 최적화) - 여러 랭크 사용 시 각각의 랭크에 대해 온다이 종단 저항 값을 설정함, 다이나믹 온다이 종단 옵션을 켜면......(뭐라는 건지 모르겠네요. -_-;;; ) 한계: 없음
  • Geardown Mode - allows the DRAM device to run off  its internally-generated ½ rate clock for latching on the command or  address buses.
     ON is the default for speeds greater than DDR4-2667. However, the  benefit of ON vs. OFF will vary from memory kit to memory kit. Enabling  Geardown Mode will override your current command rate.
    • 기어다운 모드 - 명령 및 주소 버스 동작 속도를 클럭의 1/2로 낮춤. 2667MHz 초과 시 기본값. ON vs OFF는 케바케(메모리 킷별로 다름), 켜면 CR(command rate) 설정을 무시함.
  • Power  Down Mode - can modestly save system power at the expense of higher DRAM  latency by putting DRAM into a quiescent state after a period of  inactivity.
    • 파워 다운 모드 - 일정 시간 동안 안 쓰면 DRAM을 꺼버림. 전력 절감 효과가 꽤 있지만 레이턴시 증가가 있음.


 

인피니티 패브릭: 256비트 양방향 버스, 메모리 유효 클럭의 절반에 동기화


메모리 타입: 당연하게도(...) 삼성 B다이를 권장하지만, 4200MHz 이상을 위해 비싼 모듈을 살 필요는 없다고 함. 3000MHz CL14 정도만 되도 충분히 좋음. 물론 silicon lottery(운빨)는 항상 중요.

추천 램 예시:
G.Skill Sniper X 3400C16 - 1.51V주고 3667MHz CL14까지 됨
G.Skill Sniper X 3600 C19 - SK-Hynix CJR 다이 (18 nm), 3933MHz CL16, 4000MHz도 해봄, 이거 때문에 계산기 최신 버전에 Hynix CJR다이에 3867 MHz 설정값 추가함

Micron H/E-die (16 nm) - 아직 안 써봐서 모름. 친구들이 간이 테스트 해본 바로는 오버 잘 된다고 함
 
듀얼랭크 - 힘듬. 3400MHz CL14 (삼성 B다이), 3600MHz CL16 (Hynix CJR)까지만 해봄. 현재 16GB 모듈(32GB 킷)은 듀얼랭크로만 가능함


 
메인보드 타입

듀얼 슬롯 - 램 클럭을 원한다면 노려볼만 함. 예: ASUS ROG STRIX B450-I Gaming
 
데이지 체인 - CPU와 A2, B2 슬롯 사이의 버스 길이를 줄이는데 유리함. 예: ASUS ROG Crosshair VII, ASUS Prime X470-Pro, MSI X470 Gaming M7 AC.
 
T-토폴로지 - 오버 한계는 상대적으로 평범함(3466–3533 MHz), 풀뱅 오버에 유리함. 예: ASUS ROG Crosshair VI and ASRock X470 Taichi
 


파트 0:
 


 

XMP 쓸 수 있으면 사용
원하는 메모리 클럭 설정
BLCK 오버하고 싶으면 할 것
계산기를 통해 각종 타이밍, 전압을 권장값으로 설정

단, CAD 관련이랑 VDDP, CLDO, VPP, VTT DDR, Vref는 오토로 설정

TestMem5 0.12 기본 프리셋으로 테스트하면서 procODT와 RTT 설정을 조절
 

*** 여기선 에러가 나는 게 정상이니 쫄면 안 됩니다. 오히려 에러가 안 나면 진행이 안 됩니다. procODT를 바꿔가면서 최적값(에러가 적게 나는 값)을 찾는 건데, 에러가 안 나면 차이를 알 수 없으니깐요. (이럴 경우 계산기에서 익스트림을 쓰거나 클럭을 한 단계 올리거나 해서 적당히 에러가 나는 상태를 만들어서 진행하면 됩니다.) 그리고 기본 프리셋으로 하라는 건 어차피 에러나니깐 시간 절약하라고 그러는 겁니다. 전 그냥 TestMem5 v0.12 Advanced 3( https://hwtips.tistory.com/2548 )로 쭉 진행했습니다.
 
물론 진행 자체가 불가능한 에러(강제 자동 재부팅, 블루스크린, 부팅 불가 등)가 나면 그냥 실패이니 클럭을 내리던가 해야 합니다.  그리고 에러가 너무 많이 나면 끝까지 진행해도 최종 안정화가 안 될 수가 있습니다. 그럴 때도 클럭을 내리던가 해야 되지요.
 
저는 3466으로 시작해서 3400을 거쳐 3333까지 내려왔습니다.
 

RTT는 웬만해선 똑같은 추천값만 보여주므로, procODT 튜닝이 이 단계의 핵심이 됩니다. 참고로 RTT_NOM을 Disabled나 RZQ/6(40ohm)로 설정하면 나은 결과를 얻을 수도 있다고 하니 여유되시면 해보셔도 됩니다. 다만 저는 에러만 늘어났습니다. (당연한 게, 무조건 나아지는 설정이라면 저런 말만 적어놓지 않고 기본 권장값을 바꿨겠죠.)
 
 

       
근데 삼성 C다이가 없네요. 이름 부르는 방식이 우리랑 다른가...
     


   

왼쪽 위에서 CPU 종류, 메모리 종류, 클럭 등을 선택하고, R-XMP를 누르면 왼쪽 아래 ns 단위 타이밍들이 세팅됩니다. 그 후에 SAFE, FAST, EXTREME 중 하나를 누르면 설정들을 쭉 보여줍니다.   
   
프로파일 버전은 V1이 고급 모듈(타이밍 빡셈), V2이 보급 모듈(타이밍 상대적으로 풀림)로 보입니다. 고클럭 FAST나 EXTREME에선 V1만 지원한다는 메시지를 볼 수도 있습니다.
 
BLCK - 냅두면 R-XMP 누를 때 100으로 설정됩니다. BLCK 오버를 알고 꼭 해야 되겠다 하는 게 아니면 저렇게 냅두는 게 맞습니다.
  
작업  종류(태스크 시스템) - 기본값은 Synthetics인데, 게임 성능이 목적이면 게임으로 바꿉니다. 핵심 차이점은 BGS (BankGroupSwap)를 끄는 겁니다. BGS를 끄면 대역폭은 떨어지지만 게임 성능은 오릅니다. (AMD 공식 리포트: https://community.amd.com/community/gaming/blog/2017/07/14/memory-oc-showdown-frequency-vs-memory-timings )
 
그리고 FAST부터는 무조건 파워 다운을 끄라고 뜹니다.

   

 

참고로 타이밍을 좀 느슨하게 잡고 싶다면,    
  • V1 프로파일 → V2 선택
  • 자기 것보다 좀 떨어지는 모듈 선택(예: 삼성 B → 하이닉스 AFR)    
  • 시도할 클럭보다 더 높은 클럭 선택(저는 계산기에는 3533MHz 입력)
  • RFC를 계산기 권장값, 메모리 기본값(JEDEC SPD), 메모리 XMP 기본값(있으면) 중 가장 높은 걸 선택해서 입력합니다. 저는 32GB라 그런지 계산기 권장값으로 설정하면 부팅도 안 되더군요.
    • 만약 XMP램도 아니고 적당히 쓸 설정도 없다면 제꺼 XMP 기본값(RFC-2-4: 560-416-256을 써보시는 것도 괜찮을 듯...)
 
정도를 해볼 만 합니다.***
 
 
   
파트1     

    

DRAM 및 SOC 전압을 잡는 단계임. 이제 TestMem5에 1usmus v2 콘픽을 사용하며, 링스는 4~8GB 정도 주고 돌림.

    

테스터기로 정확한 전압을 읽을 수 있다면 하는 게 좋음(이유는 생략) 

   

*** 바이트 맞습니다. TestMem도 그렇고 저쪽은 바이트를 소문자로 적는 듯. 그리고, 0.7.0버전은 무시하세요. 러시아에서 불펌한 버전이 저거라서 저러는 듯.


전압 측정은, 크헤7에 테스터기 대는 자리가 있어서 재보니깐 DRAM 1.447~8, SOC 1.038~9 정도로 왔다갔다 하더군요.

   

권장 테스트 방법: DRAM은 자기 쿨링 감안한 실사용 최대 전압에 대한 확신이 있으면 그거 넣고 잊어버려도 됩니다.(경험상 쿨링이  받쳐주는 내에서는 무조건 높을수록 오버 잘 됨). SOC는 계산기 권장값에서 1단계씩 올려가면서 테스트  합니다. 만약 에러가  갑자기 증가하거나 MAX까지 도달했으면 다시 권장값에서 1단계씩 내려가면서 테스트 합니다.

   
   

저는 DRAM은 1.45 설정하고 SOC만 보드 최적값에서 올리는 쪽만, 링스만으로 테스트 했습니다.

링스 도는 시간이, 권장값: 3분 50초 정도, +1 6분 50초, +2 10분 14초, +3 23분 44초, +4 다시 3분 20초 정도

라서 +3 단계로 했습니다. (위 측정값은 이 상태에서 측정한 것)

 

링스 몇 회 돌리라는 말은 없는데, 횟수가 중요한 게 아니라 에러날 때까지 몇 분 도느냐가 중요하므로 적당히 넉넉하게 수십회 이상 주고 돌리면 됩니다. 제 경험상으로는 메모리 할당량 늘려도 시간에 큰 차이는 없었습니다만, 혹시 모르니 변인 통제 차원에서 한 번 설정한 할당량은 끝까지 쭉 밀고나가는 게 좋습니다. (끝까지 진행한 후 최종 안정화 확인할 때만 97% 정도 주고 돌리면 됩니다.) 

   
   

이론상 최적(바이너리 서치): 개념 설명 잘 된 글 - https://ledgku.tistory.com/35 

Min, Max와 그 평균값(a), 해서 3가지를 테스트 합니다.

Min쪽이 에러가 덜 났다면 Min과 a의 평균값(b)을 테스트 합니다.*
Max쪽이 에러가 덜 났다면 Max와 a의 평균값을 테스트 합니다.   

*이쪽을 예로 계속 설명하자면, Min과 a를 비교해서

Min쪽이 에러가 덜 났다면 Min과 b의 평균값(c)을 테스트 합니다.    

a쪽이 에러가 덜 났다면 a과 b의 평균값(c)을 테스트 합니다.

    

식으로 계속 절반씩 좁혀나가는 방식입니다. 단점은 극단값을 테스트 해야 되는데 극단값에서 아예 블루스크린으로 뻗거나 해버리면 비교가 곤란할 수 있습니다.*** 

 


파트 2 

  

   

세부 타이밍을 풀어줌. (스샷 오른쪽 아래 RCDRD부터 시작하는 부분)

 

*** 저는 링스 도는 시간에 전혀 영향이 없길래 바꾼 거 롤백하고 넘어갔습니다. *** 




파트 3

    

   

CAD_BUD

24, 20, 20, 20    

24, 24, 20, 20

24, 20, 24, 20    

...

   

같은 식으로 함

 

 

별도 팁에 따르면 2 모듈은 24 30 24 24가 유용할 수 있음, 4모듈은 24-20-24-24.    

 

*** 저는 계산기에 있는 3가지 값(권장, Alt 1,2)을 시도해봤는데, 보드 오토가 이미 최적값인지 3가지 다 링스 시간이 도로 3분대로 줄어들어서 역시 오토로 되돌리고 넘어갔습니다. ***

 
 
  

파트 4

       

   

VDDP 등 각종 전압 튜닝(스샷 왼쪽 아래 부분)

 

CLDO VDDP에 시도해볼 만한 최적값들: 기본값 (850 mV), 950 mV, 945 mV, 940 mV, 915 mV, 905 mV, 895 mV, 865 mV, and 840 mV.

CLDO 개념 설정 잘 되어 있는 글 다시 링크 - http://www.hwbattle.com/bbs/board.php?bo_table=cpumbram&wr_id=120244

 


*** 저는 귀찮아서 생략하고 CLDO만 계산기의 3가지 값들을 해봤는데 이것도 보드 오토가 이미 최적값인지 링스 통과 시간이 비슷하거나 10분대로 줄어들었습니다. 사실 CAD_BUS와 CLDO가 보드 오토가 최적임을 확인했기에 나머지도 그럴 가능성이 높아서 의욕이 떨어진 것이기도 합니다. 여튼, 여기까지 3400MHz로 링스 23분 정도 돌아가는 세팅을 완료 후, 3333MHz로 내리고 최종 안정화 확인을 하였습니다. 

   

프라임은 800K, 864K를 하라고 나와있는데, 제 생각엔 http://www.coolenjoy.net/bbs/overclock/654043?sfl=wr_subject&stx=prime95&sop=and 에 있는 FMA3 256K 테스트가 나아보입니다. Anandtech CPU 및 오버클럭 포럼의 안정화 테스트 가이드라인 ( http://lite.parkoz.com/zboard/view.php?id=over_freeboard&no=17418 )이 나올 때부터 링스 - CPU 코어, HCI - 메모리, 프라임 - L3 캐시 및 멤컨이라고 하였는데, 프라임의 특장점인 L3 캐시 및 멤컨 갈구기를 극대화한 설정이 바로 FMA3 설정입니다.


그리고 라이젠 램오버는 정작 메모리, 멤컨은 버티는데 인피니티 패브릭이 못 버티는 경우가 있다고 하니(메모리 테스트는 정상인데, AIDA64의 메모리 및 캐시 벤치에서 L3 캐시 성능이 이상하게 오버 전보다 확 떨어져서 200GB대가 나오고, 실사용 시 원인 불명의 오류가 생기면  당첨(...)이라고) 이거 때문에라도 L3 캐시를 확실히 확인해볼 필요가 있다고 봅니다.

 

   

HCI Memtest: 가이드에서는 파트1 중간 쯔음에 TestMem으로 에러 카운트 0 나오기 시작하면 HCI도 돌려봐라고 한 번만 언급하고 있는데, 저는 링스만으로 진행한 후 최종 확인으로 한 번만 돌려봤습니다. 런처는 기존에 쓰던 걸 버리고 Dang Wang의 4.0을 써밨는데 엄청 좋네요. ( http://www.coolenjoy.net/bbs/pds/129136?sfl=wr_subject%7C%7Cwr_content&stx=HCI+Memtest&sop=and )  

 

 

그러니깐

  • 0단계~1단계 전반부 TestMem5로만 진행
  • 1단계에서 TestMem5 에러 카운트 0을 보게 되면 링스로 바꿔서 링스로만 진행
  • 끝까지 진행한 후에 (최종 안정화 확인1) 링스에 메모리 97% 정도 할당해서 5시간 이상 도는 상태를 만들기
    • 여기서 안정화가 안 되면 위의 계산기 항목에 적은대로 타이밍을 전반적으로 조금씩 풀어주거나, 클럭을 한 단계씩 낮춤
  • 그 후에 (최종 안정화 확인2) HCI Memtest (400% 이상, 1000% 권장) → Prime95 FMA3 256K (2시간 이상)
    • 여기서도 안정화가 안 되면 위의 계산기 항목에 적은대로 타이밍을 전반적으로 조금씩 풀어주거나, 클럭을 한 단계씩 낮춤

식으로 확인하는 게 좋은 것 같습니다.  

 

이상이 램오버 방법 가이드 내용 + 제 경험 및 배경지식을 통한 잡담들입니다. 가이드 원문은 내용이 훨씬 더 많습니다만, 대부분 기술적 이론상 설명이랑 벤치마크로 성능 자세히 비교하는 부분이라 생략합니다. 영어와 공학 지식에 자신 있는 분은 한번 읽어보시길...

 

 

 

추가: Handy Tips and Tricks (단, 위에서 이미 언급한 항목은 생략) 

  • SOC, DRAM 전압을 너무 높이지 말 것. 최적 SOC 전압은 보통 0.97~1.025V임
  • 항상 RAM 쿨링에 신경쓸 것
  • 에러 하나 정도 나는 것은 세부 타이밍을 풀어서 해결할 수 있음
    • tFAW: 최적 값은 보통 tRRDS 4배와 6배 사이
    • RRDS를 1~2 정도 늘림
    • RTP: WR의 절반~12 사이에서 조절
    • RDWR: 6~9, WRRD: 1~4, 주의할 점은 이 둘은 세트로 설정해야 됨, 예: tRDWR 6 and tWRRD 2, tRDWR 6 and tWRRD 3, tRDWR 6 and tWRRD 4, tRDWR 7 and tWRRD 1 같은 식으로...
    • RFC: RC의 6배나 8배를 입력. tRFC 2/4는 라이젠에선 설정할 필요 없음
  • 기어다운 모드를 켜면 안정성에 도움이 될 수 있음.
  • VDDP를 조절하면 안정성에 도움이 될 수 있음. 권장 범위는 855 mV to 950 mV. 10–15 mV씩 조절해보길...
  • 스프레드 스펙트럼을 끄면 안정성에 도움이 될 수 있음.
  • 에러는 윈도우 때문에 날 수도 있음.
  • RCDRD랑 RP를 1씩 늘려주면 안정성이나 요구 메모리 전압을 낮추는데 도움이 될 수 있음.
  • RTT_PARK랑 procODT 저항을 높이면 안정성에 도움이 될 수 있음.
  • RC = RAS + RP임을 잊지 말 것.
  • WRWR SCL와 RDRD SCL를 짝수로 주면 안정성에 도움이 될 수 있음. 예: 4-4 or 6-6.
  • CPU 오버 많이 하면 메모리 안정성이 떨어질 수 있음
  • AGESA 새 버전 적용된 펌업 있나 살펴볼 것.

출처 : https://www.techpowerup.com/reviews/AMD/Ryzen_Memory_Tweaking_Overclocking_Guide/5.html

댓글: 40

팁/노하우

추천 제목 닉네임 조회수 날짜

0 블라인드 처리된 글입니다.

user_217828
22 11:50

0 웨스턴 디지탈 SSD/HDD C드라이브만 백업하기 2

클래식컬
99 06-06

1 마야에서 라이젠 Unfold3D가 동작하지 않을 때

fatal_error
104 06-06

3 팁게에 없는것같아서 올리는 팟플 픽셀세이더 6

Nival
300 06-04

0 G-HUB 무한로딩 포맷,레지스트리 편집 안하고 해결하는 법

user_217478
284 06-04

2 윈10의 불완전 종료시 뻑나는 증상 5

조진아
783 06-03

20 ASUS TUF B450M-PRO GAMING 국민 오버클럭 가이드 21

rock
2.1k 05-29

0 Tuf B450M-pro gaming PBO 설정 사용기 2

포르투네
723 05-28

2 윈도10 7기가 예약공간 저장소 비활성화 해제하는법 10

전생의도박사
1.5k 05-28

5 보이스미터를 이용한 디스코드 obs 방송 세팅 8

문과만세
737 05-24

13 [파워포인트] Lined 2사양용 이미지/gif/영상 자기소개 프레임 ver 2.0.0. 8

한설여울
375 05-23

5 [포토샵] Lined 2사양용 이미지/gif/영상 자기소개 프레임 ver 2.0.0. 2

한설여울
246 05-23

7 [포토샵] Basic 이미지/영상/gif 자기소개 프레임 ver 2.0.0. 3

한설여울
195 05-23

13 [파워포인트] Basic 이미지/영상/gif 자기소개 프레임 ver 2.0.0. 11

한설여울
264 05-23

13 퀘이사존 프로필 사양 이미지 생성기 17

별들의전쟁
582 05-22

0 코드명 옆 사진 이미지 크기 조절... 3

콩이
250 05-20

12 다중모니터 셋업 시뮬레이터 19

페퍼소스
1.7k 05-19

0 펑~ 3

유성아빠
395 05-19

6 다크테마(어두운모드) 사용하기 window10, MSoffice, chrome 15

성급한
1.7k 05-15

9 퀘존 리마스터 이후 사진 편하게 올리는 법 19

ChildishAdult
512 05-14

14 모니터 적정 크기 및 해상도 결정 팁 12

퀘찰코아툴
2.8k 05-14

1 커세어 iCUE 커스텀 조명 세팅 프로필 받는 사이트 13

뉴에그
523 05-13

3 웨일브라우저)폰트를 바꿔보자. 2

C2H5OH
435 05-13

3 리마스터 Ver. 자기소개(프로필) 이미지를 조절해보자 3

다은현이
495 05-12

0 퀘이사존 이벤트로 받은 상품권 네이버 페이 포인트에 적용방법 7

루민
303 05-12

7 누워서 컴퓨터 하자. 3편- 이제 사용해보자! 14

C2H5OH
1.8k 05-11

1 누워서 컴퓨터 하자. 2편-소프트웨어적 준비단계 3

C2H5OH
818 05-11

1 누워서 컴퓨터 하자. 1편-외부에서 공유기 접속하기. 3

C2H5OH
1.3k 05-11

9 리마스터 이후 – 자기소개(프로필)에 버튼을 만들어보자 7

다은현이
619 05-10

0 AMD CPU(PBO) 온도에 따른 클럭 그리고 배틀그라운드 프레임(라이젠5 3600) 5

달림맨
2k 05-10

신고하기

신고대상


신고사유

투표 참여자 보기